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国星光电宣布两项省重点领域研发计划项目获批立项

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10日,国兴光电宣布已率先推出“硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延,芯片及封装研究与应用”及该公司参与“彩色微LED”宣言显示和超高亮度微显示“技术研究”项目获批准,省级财政专项资金分别批准为750万元和225万元。

公告显示,硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延,芯片和封装的研究和应用属于第三代半导体材料和器件的特殊类别。国兴光电表示,大多数近紫外LED是蓝宝石衬底,容易产生拉应力甚至裂缝。硅基板具有体积大,成本低,导热率高的优点,有利于小型化和高LED器件。当前密度。通过产业,教育和科研的结合,该项目利用产业链整合,切入四层硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延,芯片,封装和应用,并开发紫外线大功率LED器件自主创新,形成了工业示范。这将有助于提升国内近紫外LED产业的国际竞争力,推动广东乃至全国LED产业的升级。

协助在广东,香港和澳门建立科技创新体系。

国兴光电表示,该公司尚未收到该项目的专项资金。上述项目不会对公司近期的生产经营产生重大影响,但有利于利用公司的知识产权优势,形成持续的创新机制,保持技术领先地位,提升公司的核心竞争力。

此外,国兴光电还宣布分别获得国家知识产权局和美国专利商标局颁发的LED设备,LED灯,LED设备导电线,LED支架及其支架两项专利证书。制造。 LED器件和LED显示模块的专利期限为20年。

国兴光电表示,收购发明专利不会对公司近期的生产经营产生重大影响,但有利于保护和充分发挥公司的自主知识产权,形成持续的创新机制,保持技术领先地位,进一步提升公司的核心竞争力。

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